Блог

Пока изготовители логических СБИС бодро осваивают 3-нм производственные нормы, микросхемы памяти уже который год топчутся у 10-нм порога. Будет ли он однажды всё-таки преодолён, или вертикальная укладка ячеек памяти слоями — единственный эффективный впредь способ неуклонно повышать плотность хранения данных ОЗУ на единицу занимаемой его чипами площади?